銅因其優良的物理性質（高導電性、高導熱性等）而廣泛應用于電力電子、半導體工業之中。但是，銅易受腐蝕的特性極大限制了其高端應用的開發，因電極腐蝕帶來的器件性能退化問題嚴重影響了集成器件的極限功率與性能表現。例如，當暴露在200 ℃的空氣中僅30分鐘后，銅導線的電導率就會下降99.99999%。石墨烯因在單原子層厚度上具備優異的防滲透能力和極高的化學穩定性，被認為是金屬保護涂層的重要備選之一。然而，石墨烯-金屬體系通常具有弱的界面耦合作用和強的表面電化學活性，在水、氧氣等腐蝕性分子接觸石墨烯-金屬表面時，界面擴散和電化學反應極易發生。有研究表明，在長時間、高濕度的環境下，石墨烯甚至會加速銅的腐蝕。因此，亟需開發一種能有效阻斷界面擴散和電化學腐蝕的原子級防腐技術，為下一代高端電子產業中銅的應用開辟道路。

圖1：雙層石墨烯覆蓋銅的抗腐蝕性能

針對上述難題，劉開輝團隊與合作者利用雙層石墨烯覆蓋，實現了高效（200 ℃下1000小時，室溫環境下5年）的銅表面腐蝕保護（圖1）。并且，研究團隊證明，此方法的有效性與銅的晶面和石墨烯的堆疊方式無關，可通過多種制備方式獲得，且適用于高溫、高濕等多種環境，極大擴展了石墨烯原子級防腐涂層的應用前景。作為原型演示，團隊在印制電路板（PCB）裸銅電路上覆蓋了雙層石墨烯，并實現了120 ℃下20小時以上的保護效果，相較傳統的防腐手段，能夠更大程度保留銅本身的優異電學、光學等物理性質。精細的電子能帶結構計算與實驗表征證明，銅上雙層石墨烯的優異防腐性能來自于其具有雙面各異的摻雜機制。該技術有望為銅在高溫、高濕等苛刻環境中的集成化應用開辟道路，也為下一代電子器件和光電器件進一步縮小體積、實現微型化帶來新的機遇。