高熵合金(HEAs)的開(kāi)發(fā)極大地激發(fā)了合金設(shè)計(jì)策略。通過(guò)將多個(gè)主元素合并到簡(jiǎn)單固溶體中,導(dǎo)致HEAs在原子水平上呈現(xiàn)無(wú)序狀態(tài)。研究發(fā)現(xiàn),HEAs的大部分特殊性質(zhì)與其無(wú)序的化學(xué)結(jié)構(gòu)有關(guān),包括HEAs在內(nèi)的無(wú)序合金在高溫下的強(qiáng)度通常較低,這極大地限制了其應(yīng)用。另一方面,L12型有序金屬間化合物具有較高強(qiáng)度,通常用作常規(guī)高溫合金的強(qiáng)化成分。L12強(qiáng)化高溫合金在高溫(750℃以上)下表現(xiàn)出優(yōu)異的力學(xué)和化學(xué)性能,已廣泛應(yīng)用于燃?xì)廨啓C(jī)、超臨界電廠和柴油機(jī)中。結(jié)合HEAs和L12有序金屬間化合物的優(yōu)點(diǎn),L12沉淀強(qiáng)化HEAs已經(jīng)被開(kāi)發(fā)出來(lái),并表現(xiàn)出了優(yōu)異的強(qiáng)度-延性協(xié)同效應(yīng),使其成為各種應(yīng)用中有前途的結(jié)構(gòu)材料。在L12強(qiáng)化的HEAs中,強(qiáng)化效果強(qiáng)烈依賴(lài)于相組成和析出相的變形行為。由于HEA基體的成分復(fù)雜,引入的L12析出相也表現(xiàn)出成分變化。L12金屬間析出相的析出機(jī)制和變形機(jī)理還不清晰,限制了L12沉淀強(qiáng)化HEAs的進(jìn)一步發(fā)展。
香港城市大學(xué)的研究人員探討了L12型多組分金屬間化合物(MCIs)的位置偏好和變形機(jī)理。相關(guān)論文以題為“Elemental partitions and deformation mechanisms of L12-type multicomponent intermetallics”發(fā)表在Acta Materialia。
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https://doi.org/10.1016/j.actamat.2021.117238
本文選擇(Ni,Co,Fe)3(Al,Ti,Fe)合金作為模型系統(tǒng)。對(duì)于這樣一個(gè)具有部分無(wú)序結(jié)構(gòu)的系統(tǒng),關(guān)鍵是闡明每個(gè)合金元素在強(qiáng)化和變形機(jī)制中的作用。因此還分析了從(Ni,Co,Fe)3(Al,Ti,Fe)衍生出來(lái)的六種化合物,包括(Ni,Co)3Al、(Ni,Fe)3Al-Fe13、(Ni,Fe)3Al-Fe7、Ni3(Al,Ti)、Ni3(Al,Fe)-Fe13、Ni3(Al,Fe)-Fe7。
研究發(fā)現(xiàn)Ti傾向于占據(jù)Al亞晶格,而Co和Fe原子主要分布在Ni亞晶格中。根據(jù)已建立的元素分配趨勢(shì),構(gòu)造特殊的準(zhǔn)隨機(jī)結(jié)構(gòu)。通過(guò)DFT計(jì)算研究這些MCIs的變形機(jī)理,得到了一般平面層錯(cuò)能,包括γSPF和γUPF。幾何結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)分析表明,TiAl在提高平面斷層能中起著重要作用,因?yàn)門(mén)iAl會(huì)降低MCI對(duì)平面斷層的適應(yīng)性。相反,Co、Ni通過(guò)提高適應(yīng)性降低了MCIs的γSPF。FeNi和FeAl對(duì)平面斷層的適應(yīng)能力有一定的改變,對(duì)γSPF變化影響不大。
圖1 完美L12有序Ni3Al(原始)、反相邊界(APB)、復(fù)雜層錯(cuò)(CSF)和超晶格內(nèi)稟層錯(cuò)(SISF)的結(jié)構(gòu)模型
圖2(a-e)相對(duì)能量、(f-j) 1NN和(k-o) 2NN SRO參數(shù)隨DFT-MC步長(zhǎng)增加的變化
圖3 (a) Ni3Al中APB、CSF和SISF的穩(wěn)定和不穩(wěn)定平面層錯(cuò)能(γSF和γUPF)。(b) APB、CSF和SISF一般平面斷層的原子軌跡
圖4考慮MCIs的APB、CSF和SISF能量(γSPF,上排)及其平均值(下排)的分布
圖5 斷裂帶不同成分濃度γSPF變化趨勢(shì)
本文基于第一性原理計(jì)算,研究了多組分HEAs中重要強(qiáng)化組分(Ni,Co,Fe)3(Al,Ti,Fe)多組分金屬間化合物的元素分配和變形機(jī)理。為了闡明每個(gè)合金元素的作用,分析了(Ni,Co,Fe)3(Al,Ti,Fe)及其派生的六個(gè)L12子系統(tǒng)。DFT-MC模擬結(jié)果表明,APB和CSF層引入的幾何結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)變化局限于斷層附近。SISF的形成減輕了整體結(jié)構(gòu)的幾何結(jié)構(gòu)和電荷密度重新分布的程度。本文通過(guò)確定不同元素和不同金屬間化合物對(duì)MCIs局部幾何結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)的影響,明確MCIs變形行為的基本理解,為合理設(shè)計(jì)有序析出強(qiáng)化HEAs鋪平了道路。(文:破風(fēng))