光譜研究金屬及合金之緩蝕劑的作用及其擇優化表面技術
2013-06-19 12:47:23
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【名稱】光譜研究金屬及合金之緩蝕劑的作用及其擇優化表面技術
【申請(專利)號】CN201210091219.8
【公開(公告)號】CN102621093A
【申請人】上海大學
【發明人】方建慧,霍勝娟,祝卿,褚晨盛
【申請日期】2012-3-31
【公開(公告)日期】2012-8-1
【專利說明】一種以光譜學與金屬的腐蝕相結合手段,研究表面緩蝕劑,用于優化保護金屬及合金的方法,其特征在于以半圓形硅柱為研究載體,其表面化學鍍金,再將該柱體安裝于專一設計的光譜電解池中,并固定光譜電解池在全反射的光路中,電沉積研究對象的金屬,利用流動換液裝置,將緩蝕劑溶液包括無機及有機或有機高分子類溶液注入光譜池中并靜置幾小時,使電池表面自組裝上緩蝕分子;運用原位表面增強紅外光譜技術對上述樣品進行電位調制分析,獲取有效參數,從而強化對緩蝕劑選擇。
【摘要】光譜研究金屬及合金之緩蝕劑的作用及其擇優化表面技術。本發明屬于光譜學與金屬腐蝕與防護技術相結合的技術領域。固定光譜電解池(如圖)由以半圓形硅柱2作載體,表面化學鍍金,電沉積被研究對象的金屬為電極1(銅線8相接),對電極純鉑電極3,及參比飽和甘汞電極4,進出N2氣口5,6構成,并置全反射的光路中,以溶液進出口7,將緩蝕劑于池中換液,并靜置數小時,使電極表面自組裝上緩蝕劑分子。用原位表面增強紅外光譜,對上樣品進行電位調制分析。與以往技術相比,其通過在紅外窗口半圓形硅柱上,鍍金屬納米薄膜為電極,又利用原位表面增強紅外技術,研究不同緩蝕劑分子在金屬表面隨電位變化的吸附構型,了解緩蝕劑作用過程,使此技術在金屬或合金防蝕與保護上有更有效的廣泛應用。
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