一、自旋電子材料與量子器件研究中心簡介
自旋電子材料與量子器件研究中心是一個面向未來后摩爾時代信息處理與存儲可持續發展的研究機構,瞄準5納米以下新型電子量子器件技術發展前沿,圍繞自旋電子及其他低維電子材料研究方向,開展以低維電子系統的介觀結構-物理特性-埃米制備技術為核心的物理基礎及量子器件研究工作,并以新型量子信息處理及存儲工藝的研究和實施帶動后摩爾時代運算技術的持續發展,實現在該領域的理論、工藝與研究方法的創新。研究中心將通過整合西安交通大學相關學科資源、強化科研平臺建設、引進國際一流人才,逐步發展成為具有國際水平的、在國內外有重要影響的基礎研究基地,最終建成世界一流的學術研究機構。
1、中心主任
閔泰教授,“千人計劃”學者(全職); 馬飛教授,材料學院副院長
2、主要研究方向
(1)低維介觀量子體系材料、器件的電磁聲光元激發和量子輸運理論
(2)低維介觀量子體系材料、器件的仿真和模擬(ab-initio,micro-magnetic,compact)
(3)新材料(石墨烯,拓撲絕緣體、MX2,磁性超薄膜等)的埃米生長技術(磁控濺射,ALD, CVD)和物理表征(<1K低溫,>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發, STM, MFM,FMR)
(4)5納米以下量子器件工藝研發
(5)量子計算、類腦計算與存儲系統設計、優化和應用技術的研究和開發
(6)磁性生化醫療microfluidic測試系統的研究和開發
3、主要研究條件
(1)磁控濺射、MBE、CVD和ALD等薄膜生長系統
(2)脈沖強磁場及低溫測試系統
(3)皮秒電學測試系統(高性能示波器,任意波形發生器等)
(4)飛秒激光測試系統
(5)Quantumwise A/S公司AKT軟件包,自主開發的Micromagnetic 軟件包
二、招聘方向,條件與待遇
1、教授(Tenured)、副教授(Tenured)
(a)低維介觀量子體系材料、器件的電磁聲光學元激發和量子輸運理論
(b)新材料(石墨烯,拓撲絕緣體、MX2,磁性超薄膜等)的埃米生長技術(磁控濺射,ALD, CVD)和物理表征(<1K低溫,>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發, STM, MFM,FMR)
(c)5納米以下量子器件工藝的研究
(1)應聘條件
• 年齡在45歲以下
• 取得博士學位后有兩年以上在上述研究方向從事研究的博士后或工作經歷,具有國(境)外連續12個月及以上的學習、工作經歷;
• 以第一作者或通訊作者在超一流期刊發表1篇或者一流期刊發表3篇以上高水平學術論文
• 在所從事的學術領域取得了較突出的學術成就,是同齡人才中的拔尖人才
• 有獨立承擔科研項目的能力
• 有開創新學科和新研究方向的潛力
• 優秀的中英文交流、表達能力,專業的英文學術論文撰寫能力
• 腳踏實地、勤學上進、富有科學獻身精神
(2)待遇
提供100-200萬元的科研啟動費,根據需要提供相應的平臺建設經費
提供25-45萬元的年薪,另可面議(以不低于原來收入為起點)
年終根據業績提供最高不超過5萬元的年度獎勵
在出入境、居留、落戶、醫療、保險以及國際交流等方面提供便利條件等
優秀者將由我校全力協助申請國家千人計劃,青年千人計劃,長江學者,青年長江學者,陜西省百人計劃
(3)應聘方式
有意應聘者請通過電子郵件提供如下應聘材料:
• 一份意向信(cover letter),信中注明研究領域和應聘崗位名稱,簡單描述自己為什么合格;一份詳細電子版簡歷(英文、中文都可),簡歷中請包括個人和家庭的有關信息
• 三份推薦信
• 三篇代表性的學術論文
• 一份未來研究課題計劃的摘要(2-3頁)
初選合格者將受邀來我校參加評聘答辯,由我校支付往返旅費和食宿費用。
2、助理教授(Tenure-track)
(1)應聘條件
• 年齡一般不超過33歲
• 取得博士學位后有兩年以上在上述研究方向從事研究的博士后或工作經歷,具有國(境)外連續12個月及以上的學習、工作經歷;
• 以第一作者或通訊作者在一流期刊發表1篇或者最具影響力期刊發表3篇以上高水平學術論文
• 有獨立承擔科研項目的能力
•有廣闊的學術視野和創新思維,有成為學術帶頭人或技術帶頭人的潛力
• 優秀的中英文交流、表達能力,專業的英文學術論文撰寫能力
• 腳踏實地、勤學上進、富有科學獻身精神
(2)待遇
提供相應科研啟動費,根據需要提供相應的平臺建設經費
提供18-25萬元的年薪,另可面議。
年終根據業績提供最高不超過5萬元的年度獎勵
在出入境、居留、落戶、醫療、保險以及國際交流等方面提供便利條件等
優秀者將由我校全力協助申請國家千人計劃,青年千人計劃,長江學者,青年長江學者,陜西省百人計劃
(3)應聘方式
有意應聘者請通過電子郵件提供如下應聘材料:
• 一份意向信(cover letter),信中注明研究領域和應聘崗位名稱,簡單描述自己為什么合格;一份詳細電子版簡歷(英文、中文都可),簡歷中請包括個人和家庭的有關信息
• 三份推薦信或三名推薦人的聯系方式(電子郵件和電話)
• 三篇代表性的學術論文
• 一份未來研究課題計劃的摘要(2-3頁)
初選合格者將受邀來我校參加評聘答辯,由我校支付往返旅費和食宿費用。
3、招聘專職研究人員、博士后若干名
(1)研究方向
•低維或二維介觀量子體系材料、器件的電磁聲光學元激發和量子輸運理論
•低維介觀量子體系材料、器件的仿真和模擬
•新材料(石墨烯,拓撲絕緣體、MX2,磁性超薄膜等)的埃米生長技術(磁控濺射,ALD, CVD)
•低維介觀量子體系材料、器件物理測試系統改進與搭建(<1K低溫,>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發, STM, MFM,FMR)
•低維介觀量子體系材料、器件物理表征(<1K低溫,>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發, STM, MFM,FMR)
•用磁控濺射,ALD進行鐵磁,反鐵磁,亞鐵磁超薄膜生長與磁隧道節制作
•生化醫療Microfluidic測試系統的設計、研究和制作
•量子計算,類腦計算,量子ECC器件物理,系統設計與表征
•Nanoimprint和Directed-Self-Assembly器件制作工藝
•先進半導體邏輯與儲存(DRAM, Flash, RRAM, STT-MRAM)器件制作集成和工藝
(2)應聘條件
•年齡在33歲以下
•最近兩年內在物理,材料,化學、化學工程學科取得博士學位,
•博士論文研究方向同上列一個或多個方向相關
•以第一作者或通訊作者在所研究學科發表高水平學術論文
•基本具備獨立從事科學研究的能力
•優秀的中英文交流、表達能力,能撰寫英文學術論文
•腳踏實地、勤學上進、富有科學獻身精神
(3)基本待遇
提供10-25萬元的年薪
其他待遇參照學校有關規定執行
(4)應聘方式
有意應聘者請通過電子郵件提供如下應聘材料:
本人詳細的電子版CV(英文、中文都可)
三篇代表作
三名推薦人的聯系方式(電子郵件和電話)
初選合格者將受邀來我校參加評聘答辯,由我校支付往返旅費和食宿費用。
三、聯系方式
單 位:西安交通大學高層次人才辦公室
地 址:中國 陜西 西安市咸寧西路28號
郵 編:710049
聯系人:霍逸潼
電 話:029-82667748
E-mail: hyt.h@foxmail.com
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