國際半導體技術藍圖(ITRS)曾提出,2028年將是硅材料的末日,二維(2D)材料將接替硅材料成為新一代半導體材料。其中,最知名的就是石墨烯(graphene);科學家們也正在研究其他2D材料,包括過渡金屬硫化物(transition metal dichalcogenides,TMD),如二硫化鉬(molybdenum disulphide,MoS2)。現在又有一種新的2D材料──黑磷(black phosphorus)──被視為能解決石墨烯的一些問題,是更具有研究價值的2D材料。
黑磷沒有石墨烯的缺點──石墨烯缺乏能隙(bandgap)而且與硅不相容;與硅的相容性可望促進硅光子元件(silicon photonics)技術的發展,屆時各種芯片是以光而非電子來傳遞數字信號。率領該研究團隊的美國明尼蘇達大學教授Mo Li表示:“我們首度證實了晶體黑磷光電探測器(photodetector)能被轉移到硅光子電路中,而且性能表現跟鍺(germanium)一樣好──這是光電探測器的黃金標準。”
磷在自然界是一種具備高度活性反應的物質──這也是為何它們被用來制造火柴──不過將磷在烤箱中以精確的溫度烘烤后,它的顏色會變黑,不但性質變得非常穩定,還轉變成一種純晶體型態,能剝離到硅基板上。明尼蘇達大學的研究人員使用20個單層(monolayer)的黑磷打造第一款元件證實其光學電路,據說可達到3Gbps的通訊速度。
高性能光電探測器僅使用幾層黑磷(紅色部分),就能感測波導(綠色部分)中的光;也可用石墨烯(灰色)調節其性能(來源:College of Science and Engineering,University of Minnesota)
黑磷超越石墨烯的最大優點就在于擁有能隙,使其更容易進行光探測;而且其能隙是可通過在硅基板上堆疊的黑磷層數來做調節,使其能吸收可見光范圍以及通訊用紅外線范圍的波長。此外因為黑磷是一種直接能隙(direct-band)半導體,也能將電子信號轉成光;Li教授表示:“我們的短期目標之一是制作黑磷電晶體,而長期目標則是在硅晶片中實現黑磷雷射元件。”
研究人員將黑磷整合到硅波導光干涉儀(途中的細線),以精確量測其光吸收量以及偵測其中產生的光電流(來源:College of Science and Engineering,University of Minnesota)
Li教授稱,目前正被研究中的各種2D材料里,黑磷的可調節能隙特性與其他材料也擁有的高速運作性能之間,并沒有嚴重的折衷(trade-off)問題,這使得該種材料在上述兩個條件都是“表現最佳”。贊助此研究案的單位包括美國空軍科學研究所(ir Force Office of Scientific Research)以及美國國家科學基金會(NSF)。
據悉,石墨烯雖是良好的半導體材料,但由于其導電性不易受控制,仍無法成為良好半導體材料。然而,磷作為元素周期表中第十五號元素,其化合物通常具有化學發光性質,或者通過化學反應產生大部分無熱光。黑磷的確是黑色的,卻不像它的同素異形體能發光,但它對光線的分散效果確實非常好,甚至優于石墨烯。正因為如此,黑磷非常適合應用于光電領域,有望替代石墨烯,成為下一個新材料明星。
責任編輯:李玲珊
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