雜原子摻雜納米碳膜可以有效的增加微孔超級(jí)電容器贗電容；然而，晶片尺寸制備可調(diào)整厚度和均勻摻雜微孔超級(jí)電容器硫摻雜石墨烯膜仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。這里，我們的展示了自頂向上的制備持續(xù)，均一和超薄硫來(lái)自三硫環(huán)六苯并蒄摻雜石墨烯片膜，得到具有標(biāo)志性的電容量超速微孔超級(jí)電容器。通過(guò)噴霧覆蓋SHBC膜熱退火制備SG膜，在800℃下30min薄的金保護(hù)層協(xié)助下。具有12苯硫基團(tuán)邊緣修飾的SHBC，在作為持續(xù)的和超薄的SG膜形成的前驅(qū)體是至關(guān)重要的，具有一致的約10.0nm厚度。顯著的，制備的所有固體平面SG-MSCs顯示了一個(gè)高穩(wěn)定性的贗電容行為，其電容量在10 mV s?1?582 F cm?3,優(yōu)異的倍率性能和在超速率下2000 V s?1顯著的容量，超高頻率響應(yīng)和0.26 ms短暫的時(shí)間常數(shù)，？1191 W cm?3超高能量密度。值得注意的是這些值是碳基MSCs迄今報(bào)道得到的最高的值。

    圖1.SHBC-衍生SG膜的示意圖

    圖2. SG, SHBC400和SHBC膜的結(jié)構(gòu)表征

    該工作已經(jīng)發(fā)表于JACS上。

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