日前,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所核能材料工程實(shí)驗(yàn)室(籌)研究成果表明,具有三元層狀的Y3Si2C2材料可成為碳化硅陶瓷新型的燒結(jié)助劑,其具有低溫液相存在和高溫相分解的特性,能起到促進(jìn)碳化硅陶瓷高溫?zé)Y(jié)過程中晶粒重排和晶界處重結(jié)晶的效果。
掃描電子顯微鏡圖片和能譜分析顯示出Y3Si2C2良好包裹在SiC顆粒表面碳化硅是強(qiáng)共價(jià)化合物,原子擴(kuò)散能力低,因此在高溫下很難燒結(jié)致密。為了促進(jìn)燒結(jié)、降低燒結(jié)溫度,通常需要添加高溫?zé)Y(jié)助劑來實(shí)現(xiàn),如以Al-B-C-B4C為主的固相燒結(jié)助劑體系,和以Al2O3-Y2O3,AlN-Re2O3(其中Re2O3通常是Y2O3、Er2O3、Yb2O3、Sc2O3、Lu2O3等稀土元素的氧化物)為主的液相燒結(jié)體系。大量燒結(jié)助劑的使用會(huì)造成碳化硅陶瓷高溫強(qiáng)度下降和熱學(xué)性質(zhì)惡化,因此探索合適的碳化硅陶瓷燒結(jié)法是陶瓷學(xué)界關(guān)注的重點(diǎn)。
另外,陶瓷常規(guī)工藝均采用粉末冶金的方法實(shí)現(xiàn)燒結(jié)助劑和基體陶瓷粉體的混合,該方法存在著添加劑混合不均勻、球磨介質(zhì)雜質(zhì)引入等缺點(diǎn)。傳統(tǒng)的球磨混合法只是達(dá)到了所添加燒結(jié)助劑在碳化硅粉末中的隨機(jī)分散,從單個(gè)碳化硅顆粒微觀角度來說并未達(dá)到均勻接觸燒結(jié)助劑。如何實(shí)現(xiàn)燒結(jié)助劑均勻分布于待燒結(jié)的碳化硅晶粒界面,這對于陶瓷致密化動(dòng)力學(xué)過程中起著至關(guān)重要的作用。
中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所核能材料工程實(shí)驗(yàn)室(籌)前期在研究中子吸收硼化物陶瓷發(fā)展出顆粒表面包裹的新技術(shù),該方法突破傳統(tǒng)的陶瓷球磨工藝效率低的難題,成功制備了亞微米級(jí)均勻分布的兩相復(fù)合粉體,合成燒結(jié)助劑均勻包裹碳化硼的核殼結(jié)構(gòu),對于低溫致密化燒結(jié)效果顯著。該方法對于纖維和晶須表面包裹MAX相陶瓷涂層也獲得了成功,顯示出良好的合成工藝普適性。
基于前期工作的積累,實(shí)驗(yàn)室科研人員經(jīng)過大量探索實(shí)驗(yàn),采用熔鹽法成功在SiC顆粒表面原位反應(yīng)包覆可控Y3Si2C2涂層,制備出SiC@Y3Si2C2核-殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合粉體。該SiC@Y3Si2C2復(fù)合粉體通過在1700℃、45MPa的條件下的放電等離子燒結(jié)(SPS),成功實(shí)現(xiàn)了相對致密度為99.5%的SiC陶瓷,且表現(xiàn)出優(yōu)異的宏觀性能。
掃描電子顯微鏡背散射照片揭示燒結(jié)碳化硅陶瓷斷面的形貌和元素分布在研究致密化機(jī)理時(shí),核能材料工程實(shí)驗(yàn)室研究人員發(fā)現(xiàn)Y3Si2C2涂層體現(xiàn)出低溫助燒高溫分解的有趣現(xiàn)象,最終Y3Si2C2涂層分解為Y金屬和SiC相,大部分Y會(huì)逸出碳化硅陶瓷晶界,少量Y同碳化硅表面的氧反應(yīng)形成耐高溫的氧化釔晶界第二相。實(shí)驗(yàn)室理論研究人員結(jié)合開展了詳細(xì)的Y-Si-C體系相圖的計(jì)算分析,利用相圖計(jì)算CALPHAD(CALculation of PHAse Diagrams)方法解釋了實(shí)驗(yàn)燒結(jié)樣品中得到99.5%的SiC、而Y基本消失的現(xiàn)象。
科研成果已發(fā)表在“先進(jìn)電子材料”( AdvancedElectronic Materials)、“材料科學(xué)雜志”(Journalof Materials Science)以及“歐洲陶瓷學(xué)會(huì)”、(Journalof European Ceramic Society)和“美國陶瓷學(xué)會(huì)”(Journalof American Ceramic Society)等期刊上。以上工作得到了國家自然科學(xué)基金以及中科院戰(zhàn)略先導(dǎo)科技專項(xiàng)的資助支持。
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