鋯合金具有極低的熱中子捕獲截面、優(yōu)異的耐腐蝕性能和抗高溫蠕變等優(yōu)點，被廣泛用作核反應堆中的燃料包殼和壓力管等關鍵部件。然而，長時間暴露在高能中子的輻照下會使具有織構(gòu)的鋯合金部件發(fā)生不可逆的各項異性形狀改變，即輻照生長。輻照生長大大限制了鋯合金的使役安全性和服役壽命。傳統(tǒng)認為，高能粒子輻照產(chǎn)生的柱面間隙型位錯環(huán)和基面空位型位錯環(huán)（c-loop）的各項異性分布是造成鋯合金輻照生長的“罪魁禍首”。然而，實驗研究發(fā)現(xiàn)基面空位型位錯環(huán)只有達到一定的輻照臨界條件（輻照損傷通常大于3 dpa）才會形成，而且大量的實驗研究表明基面位錯環(huán)的尺寸大于13 nm，這一現(xiàn)象很難解釋輻照初期（輻照損傷介于0.1到3 dpa）鋯合金的輻照生長現(xiàn)象，也對傳統(tǒng)的輻照生長機制提出了挑戰(zhàn)。此外，基面位錯環(huán)的尺寸大于13 nm說明其形成存在“孕育期”，因此，研究基面位錯環(huán)的形成機制對于理解鋯合金輻照生長現(xiàn)象至關重要。