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  2. 中國科學院大學《Acta Materialia》550°Cδ-鐵素體附近奧氏體分解行為!
    2024-05-24 14:34:02 作者:材料學網 來源:材料學網 分享至:

     

    導讀:本文研究了Si改性奧氏體不銹鋼在550?C時效至3000 h時,鄰近δ-鐵素體的奧氏體分解行為及其對沖擊韌性的影響。熱時效過程中,鄰近δ-鐵素體的奧氏體分解順序如下:(1)發生γ→M23C6+α轉變。M23C6次生碳化物的優先形成不僅將Si原子排斥到周圍的奧氏體中,而且產生了一個貧c區。(2) M23C6次生碳化物的生長導致NiSi原子不斷被排斥在M23C6/γ和M23C6/α界面中,NiSi之間強烈的相互吸引作用為M6C碳化物和g相的形核提供了化學驅動力。(3)隨著時效時間的延長,分解奧氏體邊界的低C、高Ni、高Si濃度會促進M6C碳化物的優先析出,而M23C6碳化物的優先析出。在沖擊變形過程中,次生M23C6與α-鐵素體之間由于應變不相容而產生微裂紋,導致沖擊韌性略有下降。

    AISI 300系列奧氏體不銹鋼因其優異的力學性能和良好的成形性,被廣泛用作輕水反應堆和第四代核反應堆的結構材料。為了提高在液態金屬、超臨界水或熔鹽等惡劣環境下的耐腐蝕性,硅改性奧氏體不銹鋼被開發出來,因為添加硅可以促進氧化保護膜的形成。由于Si是一種強鐵素體穩定元素,因此Si的加入會使奧氏體合金不穩定,導致δ-鐵素體形成的高傾向性。在大型工業坯料中,由于凝固時間的延長,δ-鐵素體的形成是不可避免的冷卻速度慢。研究發現較長的凝固時間促進了元素的偏析程度,較低的冷卻速度增加了凝固反應的時間,導致180 mmAISI 316連鑄板坯中δ-鐵素體的數量明顯增加。此外,Si是負偏析元素,比CrMo具有更高的偏析。

    在奧氏體不銹鋼中加入Si不僅改變了δ-鐵素體的數量,而且改變了δ-鐵素體的化學組成。由于Si表現出比Cr更強的鐵氧體穩定能力,現有的δ-鐵氧體分解機制可能不適用于富Si的δ-鐵氧體。迄今為止,Si的加入對δ-鐵氧體分解機理的影響尚不清楚。特別地,我們發現Si改性Fe-Cr-Ni奧氏體不銹鋼在熱時效過程中不發生δ-鐵素體分解。相反,在δ-鐵素體附近發現了獨特的奧氏體分解機制,這與傳統的δ-鐵素體分解機制形成了顯著的對比。

    中國科學院大學陳勝虎團隊制備了一種Si改性Fe-Cr-Ni奧氏體不銹鋼,研究了鑄態下δ-鐵素體的形成機理。在此基礎上,對含有δ-鐵素體的鑄態試樣進行550℃的熱時效處理,以揭示δ-鐵素體附近奧氏體分解的機理及其對力學性能的影響。同時,比較了Si改性鋼與304奧氏體不銹鋼在相同時效時間后的δ-鐵素體相關分解行為。

    相關研究成果以Austenite decomposition behavior adjacent to δ-ferrite in a Si-modified Fe-Cr-Ni austenitic stainless steel during thermal aging at 550 °C發表在Acta Materialia

    鏈接:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1359645424003008?via%3Dihub

    1Si改性和304奧氏體不銹鋼wt.%的化學成分。

    1(a, b)鑄態Si改性鋼的OM(c) SEM圖像。

    (a)偏振光下的低倍率和(b)高倍率彩色OM圖像。

    2(a-d)低倍率和(e-h)高倍率鑄態Si改性鋼枝晶組織的EPMA顯微圖。

    (a, e)背散射電子(BSE)圖像,(b-d, f-h) Cr, NiSi元素分布圖。

    EPMA進一步觀察了樹突核之間和樹突間的元素分布,如圖2所示。OM顯微圖(1b)和低倍率EPMA顯微圖(2a)的綜合結果顯示,CrSi向枝晶間區域偏析,而Ni富集于枝晶核心區域(2a-d)。可以看出,δ-鐵氧體形成于Cr濃度最高的區域。高倍EPMA顯微圖清楚地顯示,δ-鐵氧體在樹枝晶間區域形成(2e-h)。在δ鐵氧體中觀察到Ni的嚴重耗損和Si的明顯富集(2gh)。此外,與δ鐵氧體內部相比,δ鐵氧體周圍區域觀察到明顯的Cr富集(2f)

    3鑄態試樣中δ-鐵素體的TEM圖像及化學分析。

    (a)HAADF圖像和相應的CrNi組合的EDS元素映射,所示為δ-鐵氧體和初生碳化物M23C6對應的選定電子衍射(SAED)圖。

    (b)δ-鐵素體和奧氏體的EDS線掃描。

    4(a, b) 304(C -e)Si改性Fe-Cr-Ni奧氏體不銹鋼在550?C時效

    (a, C) (b, d) 500 h (e) 3000 h后的SEM圖像。

    5(a, b) Si改性鋼時效50 h后分解奧氏體的TEM亮場(BF)圖和(c-f)對應的EDS元素圖。

    (b)中的插圖顯示了相應的殘余奧氏體的SAED模式。

    5Si改性鋼時效50 h后,鄰近δ-鐵素體的分解奧氏體TEM顯微組織。圖5(a)的亮場(BF)圖像顯示,δ-鐵氧體周圍仍然存在M23C6碳化物,δ-鐵氧體沒有發生分解。(a)偏振光下的低倍率和(b)高倍率彩色OM圖像。采用CrFeSiNi的元素映射,試圖利用元素劃分來區分新形成的產物(5b-f)。通過SAED分析(見圖5b),可以確認在分解區域中仍然存在黃色箭頭所示的殘余奧氏體。CrFeEDS元素映射也表明,殘余奧氏體和未分解奧氏體中存在相同的濃度水平。此外,在分解的奧氏體區域,富Cr相和富Fe相共存。Crrich相呈現出精細的棒狀形態,如圖5(c)中的紅色箭頭所示。

    6時效50 hSi改性鋼δ-鐵素體附近分解組織的TEM圖像

    (a) BF圖像,(b) HAADF圖像,(c) FeCr相對應的EDS元素映射圖,

    (d) α-鐵素體、次生M23C6碳化物和殘余奧氏體的EDS線掃描圖。

    (a)(b)分別顯示了α-鐵氧體和M23C6碳化物的SAED模式。藍色箭頭表示初級M23C6碳化物,紅色箭頭表示次生M23C6碳化物。

    7時效50 hSi改性鋼中分解奧氏體推進邊界的TEM圖像和化學分析。

    (a) BF圖像和相應的NiSi映射,(b) α-鐵素體、M23C6次生碳化物和奧氏體的EDS線掃描。

    8時效50 hSi改性鋼中奧氏體、次生M23C6碳化物和α-鐵素體的APT分析。

    (a) CSiNiCrMnFe原子映射,

    (b)選定元素在奧氏體、次生M23C6碳化物和α-鐵素體中的相應1D濃度分布圖。

    9 TEM圖像顯示了時效500 hSi改性鋼中分解的奧氏體的宏觀形貌。

    (a) BF圖像,(b-d)對應的Cr, Ni, FeSiEDS映射。

    10時效500 hSi改性鋼中δ-鐵素體附近分解組織的TEM圖像。

    (a)CrNiSiMnBF圖像和相應的EDS元素映射圖(圖中為M6C碳化物和α-鐵素體對應的SAED)

    (b) G/αG/ M23C6界面的高分辨率TEM圖像(圖中為G相、M23C6碳化物和α-鐵素體對應的快速傅里葉變換圖)。紅色箭頭表示次生M23C6碳化物,黃色箭頭表示次生M6C碳化物,粉色箭頭表示g相碳化物。

    11時效500 hSi改性鋼中分解奧氏體推進前沿的TEM圖像。

    (a) BF圖像和CrNi組合元素映射圖,(b) M23C6/M6C界面HRTEM圖像,

    (cd) (b)M23C6M6C次生碳化物的放大圖像和(ef)相應的FFT圖。

    12時效500 hSi改性鋼的M6C/M23C6界面的APT分析。

    (a)CSiCrNi原子映射,(b) 等濃度面35% Cr20% Ni

    (c) (b)中選定元素在M6C/M23C6界面上對應的1D濃度分布圖。

    13(a)時效3000 hSi改性鋼中分解奧氏體的STEM圖像和(bc)對應的EDS元素圖。

    14時效3000小時后,Si改性鋼的α/γ界面上的APT分析。

    (a) CSiCrNiMnFe原子映射和(b) (a)中選定元素的相應1D濃度分布圖。

    15 Si改性奧氏體不銹鋼550℃時效至500 h后的室溫沖擊能。

    16(ad)鑄態試樣和(be)時效50 h(cf)時效500 h試樣沖擊后的斷口表面。

    (df)高倍掃描電鏡圖像。

    17(a)鑄態試樣和(b)時效50 h(c)時效500 h試樣斷口縱斷面的SEM圖像。

    18(a-c)沖擊變形后的TKD結果,

    (d)時效500 hSi改性鋼對應的CrNi結合的STEM-EDS元素圖。

    (a)波段對比(BC)圖,(b)相圖,(c)核平均取向偏差(KAM)圖。

    19(a) δ/γ界面生成初生M23C6碳化物,(b, c) γ→M23C6+ α轉變,

    (e, f)生成毗鄰次生M23C6碳化物的M6C碳化物和g相,

    (d)生成孤立M6C碳化物和g相的奧氏體分解機理示意圖。

    (a, b, d, e)宏觀視圖和(c, f)對應的(b, e)放大圖像。

    20基于理論計算的Si含量對Fe-Cr-Ni奧氏體不銹鋼中C擴散率的影響。

    21(a) APT樣品制備位置的SEM圖像和(b-d)時效50 h后樣品中δ-鐵素體附近奧氏體的APT分析。

    (b) C原子映射和2% C等濃度表面,

    (C)等濃度表面為23 %Cr(d) (c)中二次M23C6碳化物與奧氏體界面的接近直方圖。

    22利用thermocalc軟件和tcfe8數據庫對Si改性奧氏體不銹鋼的相變進行熱力學計算。(a) 550℃時M23C6碳化物的數量與C含量(基于Fe-x C-17 Cr-7 Ni-5 Si-0.65 Mn (at.%))

    (b) Ni含量(基于Fe-0.5 C-17 Cr-x Ni-5 Si-0.65 Mn (at.%))在δ-鐵素體附近的奧氏體中。

     

    本研究采用HRTEMHAADF-STEMAPT等一系列高分辨率表征技術,研究了Si改良奧氏體不銹鋼在550?C3000 h熱時效過程中鄰近δ-鐵素體的分解行為及其對室溫沖擊韌性的影響。主要成果如下:
    (1)Si在枝晶間區域的顯著微偏析會增加Creq,在隨后的冷卻過程中,由于C在δ-鐵氧體中的溶解度急劇降低,在δ/γ界面形成了初生的M23C6碳化物。
    (2)Si在δ鐵氧體中的富集增加了δ鐵氧體的穩定性,抑制了δ鐵氧體在熱時效過程中的分解。
    (3)M23C6次生碳化物的生長促進了NiSi原子在M23C6/γ和M23C6/α界面的持續排斥。
    (4)隨著γ→M23C6 + α相變的發生,在沖擊變形過程中,次生M23C6碳化物與α-鐵素體之間的塑性應變不相容導致分解后的奧氏體中出現微裂紋,導致沖擊韌性略有下降。

     

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