DDR4與DDR3的區(qū)別

    DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

    DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

    同樣內(nèi)核頻率下DDR4理論速度是DDR3的兩倍，這又是因?yàn)槭裁茨兀?/span>

    首先，我們來看看DDR4的結(jié)構(gòu)：

圖1 DDR連接器配對結(jié)構(gòu)

    DDR與主機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換需要“金手指”與插槽的配合，這就是內(nèi)存的連接結(jié)構(gòu)。

    根據(jù)我們已知的DDR3內(nèi)存的默認(rèn)頻率為1333/1600MHz，而DDR4內(nèi)存的默認(rèn)頻率則達(dá)到了2133Mbps~4266Mbps之間。

圖2 DDR傳輸速率的代次更替及連接器主要結(jié)構(gòu)

    在工藝一定的情況下，頻率上升帶來的問題也很麻煩，主要是溫度變高、工作穩(wěn)定性降低、信號傳輸穩(wěn)定性變差等。對運(yùn)行中的筆記本進(jìn)行熱成像掃描如下：

圖3 筆記本主板熱成像溫度監(jiān)控

    1 常用于DDR插槽的銅合金牌號有黃銅H62、磷青銅C5191、銅鎳硅合金C7025等。

    表1 三種常用材料的性能對比

    黃銅的強(qiáng)度較低，且長期保持一定大小的夾持力的能力較差。隨著工作溫度的升高，出現(xiàn)高溫下夾持端子軟化，接觸電阻增大產(chǎn)生更多的熱，加劇溫升的單惡化。磷青銅導(dǎo)電性能比黃銅還要低，本身產(chǎn)生較多的熱量，且熱傳導(dǎo)系數(shù)低。

    目前，博威合金研發(fā)的替代磷青銅的新型合金材料PW33520，在導(dǎo)電率方面進(jìn)行了提升，以改善DDR在信息傳輸工作中的發(fā)熱現(xiàn)象。

    2 以下兩張圖給出了寧波博威合金材料股份有限公司自主研發(fā)的高性能PW33520材料對磷青銅的性能對比

圖4 PW33520材料對磷青銅的性能對比

    PW33520導(dǎo)電率比磷青銅高出200%；

    100℃，50%Y0.2加載應(yīng)力條件下，抗應(yīng)力松弛能力優(yōu)秀。

圖5 PW33520材料掃面電鏡成像

    PW33520

    PW33520新型合金采用了析出強(qiáng)化型加工工藝，在高溫條件下保持較好的彈性，穩(wěn)定的接觸結(jié)構(gòu)，能夠廣泛應(yīng)用于各類接插件。

    目前主要應(yīng)用于LCD端子、電源插座、繼電器、電子連接器、通訊服務(wù)器等多個(gè)領(lǐng)域端子。

    結(jié)  論

    電子產(chǎn)品的輕薄便捷化成為主流趨勢，如何解決結(jié)構(gòu)壓縮帶來的散熱問題是制約電子產(chǎn)品性能提升的重要課題。銅是當(dāng)前市場上最好的散熱材料，保證接觸強(qiáng)度又能有效解決散熱的新型銅材無疑是提升產(chǎn)品性能的一條捷徑。

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責(zé)任編輯：殷鵬飛

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