實驗裝置:DS-氫滲透電解池; 充氫溶液(充氫池H-charging cell):0.2mol/L NaOH+0.22g/L CH4N2S (pH~12.6); 氧化溶液(H-detecting solution, Oxidation cell):0.2mol/L NaOH (pH~12.4); 充氫電流密度:5mA/cm^2;
預充氫溶液:3.5wt%NaCl+0.3g/NH4SCN,電流密度2mA/cm^2,4小時; TDS設定:室溫加熱到800℃,加熱速率100℃/h; 操作要點:The specimens were placed in air for 15min before TDS analysis so that the first hydrogen desorption peak could be obtained more completely。 下圖:氫陷阱分析:a-氫脫附曲線(MS1300-0%和MS1300-3%)、b-氫脫附曲線高斯擬合; //了解更多內容,可下載文獻全文。// ↓↓ 擴展閱讀: 氫脆研究及測試評價設備 TDS熱脫附測氫表征測量系統 氫脆機理模型(AIDE、HEDE、HESIV、HELP)和氫探測技術(TDS、HMT、SIMS、SKP、SKPFM、APT) TDS測氫:氫含量測試——【來樣測試:熱脫附法測氫,設備型號-JSL-JTF-20A】
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