{首页主词},&

新型半導(dǎo)體材料僅一個分子厚

2017-08-22 15:12:28 分享至：

俄國立研究型技術(shù)大學(xué)（NUST MISIS）莫斯科鋼鐵冶金學(xué)院與北京交通大學(xué)、澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)和日本國立材料科學(xué)研究所的科學(xué)家一起，制成厚度為一個分子的氮化硼新型半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子學(xué)的基礎(chǔ)，目前世界領(lǐng)先國家正展開半導(dǎo)體微型化競賽。新技術(shù)可用于制造“塊頭”僅為現(xiàn)有處理器千分之一的納米處理器，新處理器更省電，從而使電池微型化。如此一來，極輕的心臟起搏器、便宜的VR眼鏡、耳環(huán)型手機等大批“看不見”的電子產(chǎn)品也將應(yīng)運而生。

更多關(guān)于材料方面、材料腐蝕控制、材料科普等方面的國內(nèi)外最新動態(tài)，我們網(wǎng)站會不斷更新。希望大家一直關(guān)注中國腐蝕與防護網(wǎng)http://www.ecorr.org

責(zé)任編輯：殷鵬飛

《中國腐蝕與防護網(wǎng)電子期刊》征訂啟事

投稿聯(lián)系：編輯部

電話：010-62313558-806

郵箱：fsfhzy666@163.com

中國腐蝕與防護網(wǎng)官方 QQ群：140808414

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站所轉(zhuǎn)載的文字、圖片與視頻資料版權(quán)歸原創(chuàng)作者所有，如果涉及侵權(quán)，請第一時間聯(lián)系本網(wǎng)刪除。