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  2. 防止二維黑磷降解已取得成功!
    2015-06-08 15:19:25 作者:本網整理來源:

        來自蒙特利爾大學(Université de Montréal)、蒙特利爾理工學院(Polytechnique Montréal)以及法國國家科研中心(Centre national de la recherche scientifique,CNRS)的研究人員組成的團隊首次成功防止了二維黑磷薄膜的氧化。開啟了在大量電子及光電子器件上應用其特殊性能的大門。

        黑磷:未來新技術關鍵成員。黑磷是磷的一種同素異形體,顯示出于石墨類似的層狀結構,最近已開始引起物理學家和材料學家的關注。有可能獲得單原子層,研究人員稱之為2D磷。作為廣被傳誦的石墨烯的表親,2D磷在器件設計上匯集了兩個非常搶手的性能。

        (1)2D磷是一種半導體材料,可為晶體管和處理器提供必需的特性。2D磷具有高流動性,據估計可形成高性能、低成本電子器件基礎。

        (2)甚至更加鮮明的特性:它與光的相互作用取決于原子層數目。單原子層發射紅光,更厚的樣品將發射紅外光。這種差異使其有可能用于制造一大系列的光電子器件,例如激光器或者探測器,電磁頻譜中的戰略組成。

        (3)迄今為止,防止單原子層2D磷降解是該主要的問題,使得2D磷性能的研究進展緩慢:大氣條件下,這種材料薄層將發生降解,嚴重影響其未來的工業應用,即使其潛力巨大。

        該研究團隊提出了重要步驟,逐步確定降解的物理機制,并逐步確定導致薄膜氧化的關鍵要素。

        (1)已經證實了大氣環境中存在氧氣、水和光,導致了2D磷的氧化。

        (2)研究人員開發出了一種有效過程來制備這些非常脆弱的單原子層,并保持其完整。

        (3)研究結果將有助于世界科學界朝著發展高性能微處理器、激光、太陽能電池甚至更多的新納米技術的目標,發展2D磷的特殊性能。



     

    責任編輯:王元

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