單位簡介：

深圳先進電子材料國際創新研究院（簡稱“電子材料院”）是在深圳市科技創新委員會的指導支持下，由中國科學院深圳先進技術研究院發起，屬于深圳市十大新型研發機構之一，市區兩級財政每年提供固定科研經費支持。電子材料院以先進電子封裝材料技術開發為重點，旨在提高我國集成電路材料工業水平。現已建成由業內知名專家、研究員、高級工程師、博士后等200余人的研發團隊。具備電子材料研發、檢測加工驗證、中試等試驗用地近4.5 萬平方米，承擔國家地方各級研發平臺建設包括“先進電子封裝材料國家地方聯合工程實驗室”、“廣東省高密地電子封裝關鍵材料重點實驗室”，發表電子材料相關高質量科技論文500余篇，申請國內外專利400余件，孵化高端電子材料企業4家，建立企業聯合實驗室9個。同時，電子材料院以理事長單位發起成立“粵港澳大灣區先進電子材料技術創新聯盟”，聯盟成員包括電子信息終端用戶企業、電子材料企業、大學研究院所等30余家單位。

一、招聘崗位：　

正/副研究員，正/高級工程師，博士后，中初級工程師招聘

二、研發方向及背景要求：

（1）晶圓級封裝關鍵材料方向

v  方向介紹：晶圓級封裝相對傳統芯片級封裝，在成本、互聯密度、性能、小型化等方面具有顯著的優勢，已經成為5G通信等高端芯片的主要封裝形式。本方向主要圍繞晶圓級封裝工藝過程中的關鍵高分子、高分子復合材料及成套加工工藝開展研究，其目的是為了發展我國高端、安全可控的晶圓級封裝關鍵材料技術。

v  專業背景要求：有機合成及純化、高分子合成及改性、高分子復合材料及工藝、高分子加工成型、物理/微電子等相關專業碩士/博士；其中具有功能性熱塑性/熱固性材料（聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、有機硅等）合成應用研究背景者優先。

（2）芯片級封裝關鍵材料方向

v  方向介紹: 本方向聚焦于芯片級封裝底部填充膠、環氧塑封料、導電膠、芯片互連低溫燒結焊料等系列材料的開發與應用，具體包括：關鍵無機填料的開發、樹脂基體的合成與改性、材料配方開發與性能評價、材料芯片應用過程的仿真與可靠性測試。

v  專業背景要求：材料、化學、物理、微電子等相關專業碩士/博士；有無機納米材料合成與表面改性（金屬、氧化物等）、環氧塑封料、底部填充膠、導電膠、低溫燒結焊料、工程塑料、聚合物材料增強增韌、分子流變學與聚合動力學、導電油墨、柔性印刷等研究及產業經歷者優先。

（3）電介質、電子功能材料與器件方向

v  方向介紹：本方向聚焦于高密度系統級封裝介質材料的開發，包括基板內埋式高介電、低損耗聚合物基薄膜電容材料、用于精細線路的低介電絕緣膠膜以及高性能介電陶瓷納米粉末。本方向立足于基礎研究，與產業緊密結合，從實驗室成果到完成小試、中試，推動技術轉讓和市場化。

v  專業背景要求：材料、化學、物理、微電子等相關專業。①聚合物基納米復合電介質：具有納米材料、聚合物復合材料、介電高分子等的制備與電學性能研究的良好積累，或了解規模化roll-to-roll成膜工藝、熱壓工藝等產業化經歷。②納米陶瓷粉體：具有微納米鈣鈦礦材料制備和納米介電陶瓷性能研究經歷，熟悉多層陶瓷電容器（MLCC）制作工藝。③無源元件集成設計。

（4）熱界面材料方向

v  方向介紹：5G時代的數據傳輸量將大增，使得智能手機和通信基站的過熱風險持續提升。僅從芯片耗電量看，5G是4G的2.5倍。為了保證電子器件的運行可靠性以及更長的使用壽命，高效散熱已經成為亟待解決的關鍵問題。熱管理材料是維持電子器件性能和壽命的不可缺少部分。本方向圍繞電子器件小型化導致的散熱問題，開展聚合物的可控合成、導熱填料的制備、熱界面材料制備，界面熱阻精確測量，高功率密度電子器件集成等方面的研究。

v  專業背景要求：材料科學與工程（尤其是聚合物復合材料）、化學（尤其是有機化學、高分子化學）、物理（尤其是高分子物理）、微電子、工程熱物理等相關專業。

（5）電磁屏蔽材料方向

v  方向介紹：高功率、高頻、高密度及小型化封裝導致電子器件的電磁干擾問題日益嚴重。本方向聚焦芯片級、系統級、板級等不同封裝層級的電磁干擾問題，致力于為電子器件正常工作提供良好的電磁兼容環境。主要開展功能性微納米原材料、聚合物基導電復合材料、碳材料/碳基復合材料、磁性材料、吸波材料等電磁屏蔽相關材料與產品的開發和研究。

v  專業背景要求：材料、化學、物理、微電子、電磁學/電磁兼容等相關專業；熟悉電磁場/電磁波仿真，具有導電復合材料、電磁屏蔽材料、吸波材料研究及產業化經歷者優先。

（6）仿真模擬、材料計算方向

v  方向介紹：本方向采用多尺度模擬方法（第一性原理計算、分子模擬、有限元分析），研究聚合物材料、聚合物基復合材料以及無機材料的微觀結構與熱學和力學性能之間的關系，評估材料在電子封裝結構中的服役可靠性。同時，基于材料基因工程理念，采用高通量多尺度計算，開展復合材料配方、聚合物材料分子結構的高通量篩選研究。

v  專業背景要求：化學（具有計算化學研究經歷，熟悉物理化學、高分子化學或有機化學）、物理（具有計算物理研究經歷，熟悉固體物理、高分子物理）、固體力學（熟悉有限元分析）、材料信息學、計算機科學（程序開發、機器學習）相關專業；精通分子模擬、第一性原理計算、有限元仿真中的一種；或具有電子封裝工藝可靠性仿真經驗。

（7）金屬微電子互連材料方向

v  方向介紹：金屬微電子互連材料由于在電學、熱學和力學等方面的優異性能，在微電子封裝中具有舉足輕重的作用，承擔連接和組裝電子元器件的重要功能。本方向主要針對釬料合金、電鍍薄膜、再布線、孔填充以及鍵合絲等金屬互連材料，開展互連界面反應與組織性能演化方面的應用基礎研究，為開發高性能金屬互連材料提供理論依據和解決方案。

v  專業背景要求：材料、化學、電化學等相關專業；掌握傳統金屬材料及合金的冶煉、熱處理及力學行為；熟悉金屬薄膜的電化學沉積技術及常見薄膜材料的分析測試方法；了解軟釬焊工藝以及焊料體系和組織性能；具有薄膜電鍍或焊料制備經驗者優先。

（8）失效分析與可靠性方向

v  方向介紹：伴隨著電子元器件的小型化、多功能化和高功率化，電子封裝材料的實際服役環境日益苛刻，失效機理越來越復雜，壽命預測及可靠性評價日益困難。本方向主要針對電子封裝材料及其高密度封裝結構，開展多場服役環境對材料組織性能和封裝結構可靠性影響機理的研究，澄清電子元器件的失效機理，建立可靠性分析評價方法。

v  專業背景：材料、物理、化學、可靠性等相關專業；熟悉不同電子封裝材料的金相檢驗、微觀表征、物理性能測試方法；掌握相關分析設備的樣品制作及儀器操作方法；了解熱學、電學、力學、腐蝕與防護等可靠性評價方法及標準；熟悉電子封裝材料制備及半導體制造工藝過程者優先。

三、招聘崗位及任職要求：

（1）       研究員/正高級工程師，副研究員/高級工程師

• 在國內外知名高校獲得材料、化工、化學、物理、高分子、微電子等相關專業博士學位；

• 具備5-10年的高端電子材料研發經驗，有海內外知名高校、研究院所或行業龍頭企業任職經歷者優先；

• 以第一作者或通訊作者發表多篇高質量相關論文或作為前兩位發明人申請授權多項發明專利。其中，成功將研發成果實現轉讓或商用者優先；

• 具有優秀的團隊組建能力，領導力、人才培養能力以及多團隊協作能力;

• 特別優秀者可放寬學歷/工作年限要求。

（2）       博士后

• 已獲得或即將獲得國內外知名高校材料、化工、化學、物理、高分子、微電子等相關專業博士學位且博士畢業不超過3年；一般年齡不超過35周歲；

• 以第一作者或通訊作者發表多篇高質量相關論文或作為前兩位發明人申請授權多項發明專利者優先；

• 具有行業內知名高校、研究院所或企業任職經歷者優先；

• 熱愛科研, 工作積極主動，具有良好的創新能力和團隊協作能力。

（3）       中級/初級工程師

• 具有材料、化工、化學、物理、高分子、微電子等相關專業碩士學位；

• 具有業內知名研究院所或企業相關任職經歷者優先；

• 熱愛科研，工作積極主動, 具有創新力及良好的團隊協作能力。

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研究員、副研究員、正/高級工程師、中級/初級工程師：

1. 提供具有國際化競爭力的薪酬待遇；

2. 有年終績效獎、橫向縱向項目提成、專利級成果轉移轉化等獎勵；

3. 提供高端人才體檢、餐費補助，按照深圳市規定的社保比例全額繳納社會保險和住房公積金；

4.協助辦理深圳市戶口及配偶子女隨遷，戶籍將落入我院集體戶口。符合條件者，寶安區提供1:1配套深圳市新引進人才租房和生活補貼（即本科：3萬元/人；碩士：5萬元/人；博士：6萬元/人）；

5.符合條件的應聘者可依托本單位申請國家地方各類各級人才項目申報，對于成功認定深圳市高層次人才項目者，深圳市提供5年共160萬-300萬補貼，寶安區提供1:1配套支持（即共5年，320萬-600萬，如后期深圳市寶安區人才政策變動，此條款亦隨之變動）；

 6. 提供國立科研機構平臺，海外歸國留學人員為主的研究團隊，自由開放的研究氛圍。

博士后薪資待遇（表現優異者，出站優先留院）：

1.     博士后年薪30萬起（含廣東省+深圳市補貼）+相關博士后人才項目申報；

2.     協助申請深圳市人才安居工程3萬住房補貼，免費新能源電動車90小時/月；

3.     依據自身符合的條件情況，出站留深博士后可申請 "深圳市孔雀計劃C類人才"或者"深圳市后備級人才"，享受5年160萬的獎勵津貼，同時寶安區提供1:1配套支持（即5年320萬，如后期深圳市寶安區人才政策變動，此條款亦隨之變動）；

4.     協助出站留深（3年以上合同）博士后申請30萬元科研資助；

5.     其中博士后享受以上符合條件的院內員工政策的同時，在站工作期間計入我院工齡，可以參加院職稱評定，并享受員工同等的其他福利待遇。

五、簡歷投遞及聯系人：

凡對以上研究方向感興趣者請將您的簡歷投遞至郵箱ss.wang2@siat.ac.cn，郵件標題注明“張三（應聘者姓名）+晶圓級封裝關鍵材料（感興趣的研究方向）+職位”，謝謝！我們將在收到簡歷后第一時間回復您。

同時，深圳先進院承建的深圳理工大學有教授，副教授等教研序列崗位，有意向者可發送簡歷至ss.wang2@siat.ac.cn。