美國伊利諾伊大學的研究人員發明了一種化學腐蝕新技術，可以在砷化鎵（GaAs）中生成圖形化陣列。該技術使高端光電裝置的制備變得更容易。相關研究論文于11月3日在線發表在《納米快報》（Nano Letters）上。
   
       通常用兩種方法來進行半導體腐蝕：濕法腐蝕和干法腐蝕。在光電應用方面，III-V族半導體GaAs是比硅性能更好的半導體材料。大的寬高比結構對高端光電裝置應用至關重要，但是GaAs難以用傳統干法腐蝕來得到大的寬高比結構。李秀玲（Xiuling Li）領導的小組優化了MacEtch方法（金屬輔助化學腐蝕方法），同時為了在GaAs表面生長金屬薄膜圖案，李秀玲小組完善出一種軟刻蝕技術。李秀玲說，結合軟刻蝕技術和MacEtch方法可以以低成本的方式大面積生產高寬高比的III-V族納米結構半導體。
   
       李秀玲表示，只要找到合適的刻蝕條件，MacEtch方法就可以廣泛應用。