目前，閃爍材料作為閃爍探測器中的關鍵部件被廣泛的應用于高能物理、醫(yī)學成像以及油田勘探等領域，但是閃爍材料的缺陷卻影響了探測器的性能。近日，中國科學院設計制備了LuYAG：Pr和LuAG：Ce，Mg閃爍陶瓷可有效地抑制缺陷，提高設備的性能。

    據(jù)悉，LuYAG:Pr和LuAG:Ce,Mg閃爍陶瓷由中國科學院上海硅酸鹽研究所研究員李江團隊通過“能帶工程”和“缺陷工程”對LuAG閃爍陶瓷中淺能級缺陷的濃度和陷阱深度進行調控設計制備，它們的光產(chǎn)額分別達到24400ph/MeV和25000ph/MeV。這是國際范圍內(nèi)同類閃爍陶瓷所達到的最高光產(chǎn)額。相關研究成果發(fā)表在《物理評論應用》（Phys. Rev. Applied,2016,6: 064026）以及《先進光學材料》（Adv.Opt.Mater,2016,4:731）上。

    作為閃爍探測器中的關鍵部件，閃爍材料廣泛應用于高能物理、醫(yī)學成像以及油田勘探等領域。然而閃爍材料中的缺陷會因捕獲輸運過程中的載流子，延遲閃爍發(fā)光降低光產(chǎn)額，而最終影響閃爍探測器性能。研究團隊通過采用第一性原理計算、低溫熱釋光以及同步輻射等技術手段對材料中缺陷的存在形式和缺陷濃度進行表征。提出“能帶工程”和“缺陷工程”共同作用的機制，并設計制備閃爍陶瓷材料LuYAG:Pr和LuAG:Ce,Mg，成功抑制了材料中的淺能級缺陷，實現(xiàn)了材料綜合閃爍性能的提升。

    Y3+取代LuAG:Pr不同于一般的離子取代，Y3+與Lu3+離子半徑以及化學性質等接近，取代后不會在禁帶中增加額外能級，而是導致禁帶寬度減少，并使得材料中以反位缺陷為主的淺能級缺陷濃度下降（如圖）。低溫熱釋光表明，設計制備的材料中缺陷濃度大幅下降。光輸出衰減動力學測試結果顯示，材料中慢發(fā)光分量低于30%，光產(chǎn)額提高20%（Phys.Rev.Applied, 2016,6:064026）。Mg2+摻雜LuAG:Ce通過控制Ce4+/Ce3+比例，減少了電子陷阱缺陷在載流子輸運中的影響，使得材料光產(chǎn)額超過LuAG:Ce單晶50%。閃爍衰減測試表明材料中快發(fā)光分量達到60%（Adv.Opt.Mater,2016, 4: 731）。

    目前，閃爍陶瓷的研究工作已經(jīng)被列為國家自然科學基金重點項目和面上項目，由上海市科委國際交流合作項目、中科院國際訪問學者項目等資助。這是科技領域的重大發(fā)明成果，將會被廣泛的運用于各個領域。

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責任編輯：王元

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