表征石墨烯的手段主要有透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)、紫外光譜(UV)、原子力顯微鏡(AFM)、拉曼光譜(RAMAN)、掃描隧道顯微鏡(STM)及光學(xué)顯微鏡等。其中,XRD和UV均可對石墨烯的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,主要用來監(jiān)控石墨烯的合成過程;而表征石墨烯的層數(shù)可以采取的手段有TEM、RAMAN、AFM、光學(xué)顯微鏡和STM等。
透射電鏡(TEM)
采用透射電鏡,可以借助石墨烯邊緣或褶皺處的高分辨電子顯微像來估計(jì)石墨烯片的層數(shù)和尺寸,下圖中可以直接觀測到不同層數(shù)的石墨烯電鏡圖像。

優(yōu)勢:簡單快速。
劣勢:只能用來估算,無法對石墨烯的層數(shù)給予精確判斷。
尤其是在對比度不那么明顯的情況下,高分辨TEM無法精確判斷石墨烯的層數(shù),特別是單層和雙層。

劣勢彌補(bǔ):結(jié)合電子衍射(ED)或低能電子損失譜(EELS),則可對石墨烯的層數(shù)做出比較準(zhǔn)確的判斷。
TEM-ED
方法:通過改變?nèi)肷涫┑碾娮邮较颍ㄟ^在不同電子束入射角的情況下石墨烯衍射斑點(diǎn)強(qiáng)度的變化規(guī)律來判斷樣品的層數(shù)。
原理:當(dāng)改變電子束入射方向時(shí),單層石墨烯的各個(gè)衍射斑點(diǎn)的強(qiáng)度基本保持不變,而對于雙層以及多層的石墨烯,由于層間干涉效應(yīng)的存在,電子束入射角的改變會帶來衍射斑點(diǎn)強(qiáng)度的明顯變化,可用倒易空間模型進(jìn)行解釋。

優(yōu)勢:對于多層石墨烯的堆垛方式?jīng)]有區(qū)分,也就是說不管多層石墨烯是AA、AB或ABC堆垛的,均可采用改變電子束入射角的方法來與單層石墨烯區(qū)分開。
對于AB堆垛的雙層石墨烯與單層石墨烯的區(qū)分,電子衍射的方法可以更簡單一點(diǎn),不用改變電子束入射的方向,只要通過觀察電子束垂直入射情況下電子衍射的斑點(diǎn)強(qiáng)度的比值,就可以將單層石墨烯與雙層石墨烯(AB堆垛)區(qū)分開。在單層石墨烯的衍射花樣中,形成最內(nèi)層六邊形的6個(gè)衍射斑點(diǎn)與次內(nèi)層的6個(gè)衍射斑點(diǎn)強(qiáng)度大致相等。而在雙層石墨烯(AB堆垛)的衍射花樣中,次內(nèi)層衍射斑點(diǎn)的強(qiáng)度約為最內(nèi)層的2倍。
劣勢:對AA堆垛的石墨烯來說,在電子束垂直入射時(shí),其電子衍射與單層石墨烯無明顯差異,無法進(jìn)行區(qū)分。
TEM-EELS
案例:Gass等首先在TEM下觀察石墨烯薄片,然后對較干凈的不同襯度的區(qū)域分別采集了EELS譜圖,對譜峰強(qiáng)度進(jìn)行計(jì)算,發(fā)現(xiàn)其強(qiáng)度比值約為1:2:5,即對應(yīng)的石墨烯層數(shù)比值約為1:2:5。然后他們采用HAADF-STEM證明了中間最薄區(qū)域?yàn)閱螌邮?/span>

劣勢:這個(gè)方法并不好用,HAADF-STEM只有得到高分辨像才能反映材料真實(shí)的原子柱排列情況,但超高分辨率像不容易獲得,且單靠圖像也不大能令人信服,而且樣品中也必需有單層石墨烯。
相關(guān)學(xué)習(xí)文獻(xiàn):
[1] Meyer, J. C., et al. “On theroughness of single-and bi-layer graphene membranes.” Solid State Communications 143.1-2 (2007): 101-109.
[2]Meyer, Jannik C., et al. “Thestructure of suspended graphene sheets.” Nature 446.7131 (2007): 60.
[3]M H Gass, U Bangert, A LBleloch et al. Nat. Nanotechnol.,2008,3: 676 ~681.
拉曼光譜(RAMAN)
特色:表征石墨烯層數(shù)的一種無破壞性且相對有效的手段。
原理:Raman光譜的形狀、寬度和位置與其層數(shù)相關(guān)。

石墨烯與石墨本體一樣在約1580cm-1(G峰)和2700cm-1(2D峰)有比較明顯的吸收峰。與石墨本體相比,石墨烯在1580cm-1處的吸收峰有所展寬且強(qiáng)度較低,而在2700cm-1處的吸收峰強(qiáng)度較高,并且不同層數(shù)的石墨烯在2700cm-1處的吸收峰寬度、位置也略有移動,下圖為石墨烯與石墨的拉曼光譜。
應(yīng)用一:G峰的位置與石墨烯層數(shù)有著密切聯(lián)系,且峰位置會隨著石墨烯的層數(shù)變化。隨著石墨烯層數(shù)n的增加,G峰位置會向低波數(shù)移動,其位移與1/n相關(guān),而G峰的形狀沒有顯著變化。
應(yīng)用二:相比與G峰,使用2D峰來表征石墨層數(shù)更為可取,因?yàn)?D峰的形狀和位置都隨著石墨烯的層數(shù)增加而改變。隨著石墨烯層數(shù)的增加,2D峰變寬,強(qiáng)度減小,且出現(xiàn)紅移的趨勢。
應(yīng)用三:D 峰的半峰寬,以及G峰/2D峰強(qiáng)度比也可以用來測量石墨烯的層數(shù)。通過 mapping掃描石墨烯樣品每個(gè)位置上的G 峰和D 峰所在峰位的強(qiáng)度還可以得到石墨烯樣品的圖象。
應(yīng)用四:對于層數(shù)大于5 層的石墨烯來說,G峰和2D峰的形狀和強(qiáng)度則與石墨十分相似,難以區(qū)分。石墨烯的剪切模(C峰) 出現(xiàn)25~50cm-1,C 峰相對石墨烯層數(shù)的變化更加明顯,因而測得的結(jié)果更加準(zhǔn)確。根據(jù)C峰的位置,可以精確地區(qū)分出10層以內(nèi)的石墨烯層數(shù)。
適用范圍:
1)拉曼光譜法適用于AB堆垛型的石墨烯,對于其他方法制備的石墨烯,堆垛方式比較雜亂,則無法用Raman光譜來精確區(qū)分石墨烯的層數(shù);
2)石墨烯晶體的缺陷和表面吸附物質(zhì)不同,Raman光譜表征的結(jié)果也會有所不同。
相關(guān)學(xué)習(xí)文獻(xiàn):
[1]Ferrari, AndreaC., et al. “Raman spectrum of graphene and graphene layers.” Physical review letters 97.18 (2006): 187401.
[2]Gupta, Awnish, et al. “Ramanscattering from high-frequency phonons in supported n-graphene layerfilms.” Nano letters 6.12 (2006): 2667-2673.
[3] Y Hao,Y Wang,L Wang et al. Small,2010,6 ( 2) :195 ~ 200.
[4]D Graf,F(xiàn) Molitor,K Ensslin et al. Nano Lett. ,2007,7 ( 2) : 238 ~242.
[5]Z Ni,Y Wang,T Yu et al. Nano Res.,2008,1 ( 4) : 273 ~ 291.
[6] Reina, Alfonso, et al. “Layerarea, few-layer graphene films on arbitrary substrates by chemical vapordeposition.” Nano letters 9.8 (2009): 3087-3087.
[7] Malard, L. M., et al. “Raman spectroscopyin graphene.” PhysicsReports 473.5-6 (2009):51-87.
[8] Poncharal, Philippe, et al.“Raman spectra of misoriented bilayer graphene.” Physical Review B 78.11 (2008): 113407.
原子力顯微鏡(AFM)
特色:最有力、最直接有效的石墨烯片層結(jié)構(gòu)表征工具。
優(yōu)勢:直接觀察石墨烯的層數(shù),同時(shí)還可以得到石墨烯的尺寸、面積等信息。

單層石墨烯的理論厚度約為0.34nm,但是由于表面吸附物或雜質(zhì)的存在,使其測得的厚度比實(shí)際厚度大,一般為0.4到0.7nm。通過AFM的高度曲線可以直接估算出石墨烯的層數(shù)。
案例一:最初KSNovoselov等就是通過AFM確定了單層石墨烯的存在,下圖中的石墨烯主要由單層和雙層石墨烯組成。
劣勢:
1)當(dāng)石墨烯中存在褶皺或折疊時(shí),AFM 結(jié)果的準(zhǔn)確度會降低;
2)AFM的觀測范圍較小、效率較低,而且一般只能用來分辨單層或雙層的石墨烯。
相關(guān)學(xué)習(xí)文獻(xiàn):
[1] Lotya, Mustafa, et al. “Liquidphase production of graphene by exfoliation of graphite in surfactant/watersolutions.” Journal ofthe American Chemical Society 131.10(2009): 3611-3620.
[2] Novoselov, K. S., et al.“Two-dimensional atomic crystals.” Proceedingsof the National Academy of Sciences of the United States of America 102.30 (2005): 10451-10453.
掃描隧道顯微鏡(STM)
特色:較早被用來表征石墨烯結(jié)構(gòu)的儀器之一。
案例一:美國羅格斯大學(xué)Luican團(tuán)隊(duì)通過STM觀察到附著于HOPG上的三層石墨烯。
案例二:劍橋大學(xué)ColmDurkan組在ACS NANO上的一篇文章中,使用 STM中直接操作,從HOPG上剝離出厚度只有幾個(gè)埃的石墨烯,并且通過不同的操作方式,或選擇不同的剝離部位,得到不同尺寸、不同晶格周期的石墨烯,研究其作為電子器件方面的電子性能。
下圖中STM 可以清晰地觀測到3層石墨烯。

劣勢:
1)STM表征中需要在探針與樣品之間直接構(gòu)筑電流回路,因此只能對導(dǎo)電樣品進(jìn)行測量;
2)由于STM 對樣品要求較高,需要干凈平整的表面等原因,STM 通常用于觀測石墨烯的原子結(jié)構(gòu)及晶界而極少被用來測量石墨烯的層數(shù)。
相關(guān)學(xué)習(xí)文獻(xiàn):
[1] Vasko, F. T., and V. Ryzhii. “Voltageand temperature dependencies of conductivity in gated graphene.” Physical Review B 76.23 (2007): 233404.
[2] Li, Guohong, Adina Luican, and Eva Y.Andrei. “Scanning tunneling spectroscopy of graphene on graphite.” Physical Review Letters 102.17 (2009): 176804.
[3] Wong, Hong Seng, Colm Durkan, andNatarajan Chandrasekhar. “Tailoring the local interaction between graphenelayers in graphite at the atomic scale and above using scanning tunnelingmicroscopy.” ACS nano 3.11 (2009): 3455-3462.
光學(xué)顯微鏡
特色:快速簡便表征石墨烯層數(shù)的一種有效方法。
原理:在有一定厚度氧化硅層的硅襯底上,當(dāng)氧化層厚度滿足一定條件時(shí),由于光路衍射和干涉效應(yīng)而引起顏色變化,石墨烯會顯示出特有的顏色和對比度差異從而分辨出石墨烯的層數(shù)。

案例:Geim等發(fā)現(xiàn)單層石墨烯若附著在表面覆蓋著一定厚度(300nm)的SiO2層Si晶片上,在光學(xué)顯微鏡下便可以觀測到。這是由于單層石墨層和襯底對光線產(chǎn)生一定的干涉,有一定的對比度,因而在光學(xué)顯微鏡下可以分辨出單層石墨烯。
劣勢:光學(xué)顯微術(shù)僅限于與石墨烯對比度差異明顯的襯底,無法用于測量石墨烯對比度不明顯的襯底如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET) 薄膜等上的石墨烯層數(shù)。
最后,我們對比一下5種常見的測量石墨烯層數(shù)的方法。
測量方法 |
特點(diǎn) |
光學(xué)顯微鏡 |
方法簡單快速,對樣品不造成損傷;限于對比度差異明顯的襯底,如Si/SiO2、Si3N4、PMMA 等 |
原子力顯微鏡 |
直接有效;觀測范圍小,效率較低,結(jié)果精確性受多種因素影響 |
透射電鏡 |
簡便直觀;結(jié)果準(zhǔn)確性受限,制樣過程中會破壞樣品 |
拉曼光譜 |
快速有效,非破壞性,分辨率高;只適用于AB堆垛方式的石墨烯 |
掃描隧道顯微鏡 |
可以進(jìn)行直接剝離,但對樣品要求高,操作難度大 |
此外,還有其他表征石墨烯層數(shù)的,基于表面等離子體共振(SPR)技術(shù)可以測量相對較厚的石墨烯。采用低能電子顯微鏡(LEEM)也可以區(qū)分出不同厚度的石墨烯。另外,等離子能量損失圖也能快速表征石墨烯層數(shù),并且精確度可以達(dá)到單原子層。
其他學(xué)習(xí)文獻(xiàn):
[1] Novoselov,Kostya S., et al. “Electric field effect in atomically thin carbonfilms.” science 306.5696 (2004): 666-669.
[2] 姚雅萱,et al. “石墨烯層數(shù)測量方法的研究進(jìn)展。” 化學(xué)通報(bào) 78.2 (2015): 100-106.
[3] 黃宛真,et al. “石墨烯層數(shù)的表征。” 材料導(dǎo)報(bào) 26.7 (2012):26-30.
更多關(guān)于材料方面、材料腐蝕控制、材料科普等方面的國內(nèi)外最新動態(tài),我們網(wǎng)站會不斷更新。希望大家一直關(guān)注中國腐蝕與防護(hù)網(wǎng)http://www.ecorr.org
責(zé)任編輯:殷鵬飛
《中國腐蝕與防護(hù)網(wǎng)電子期刊》征訂啟事
投稿聯(lián)系:編輯部
電話:010-62313558-806
郵箱:fsfhzy666@163.com
中國腐蝕與防護(hù)網(wǎng)官方 QQ群:140808414
免責(zé)聲明:本網(wǎng)站所轉(zhuǎn)載的文字、圖片與視頻資料版權(quán)歸原創(chuàng)作者所有,如果涉及侵權(quán),請第一時(shí)間聯(lián)系本網(wǎng)刪除。
相關(guān)文章

官方微信
《中國腐蝕與防護(hù)網(wǎng)電子期刊》征訂啟事
- 投稿聯(lián)系:編輯部
- 電話:010-62313558-806
- 郵箱:fsfhzy666@163.com
- 中國腐蝕與防護(hù)網(wǎng)官方QQ群:140808414
文章推薦
點(diǎn)擊排行
PPT新聞
“海洋金屬”——鈦合金在艦船的
點(diǎn)擊數(shù):5768
腐蝕與“海上絲綢之路”
點(diǎn)擊數(shù):4763