【引言】
隨著硅晶體管的減小,計算速度也得到很大提高,但對目前發展的硅晶體管而言,已經接近了它的極限尺寸。要想進一步設計微型晶體管,就要嘗試減小其組件的尺寸。對于半導體電子設備線路的研究,最大的挑戰在于要減小晶體管線路使其所用部件尺寸縮減至40 nm。因此研究者們嘗試將碳納米管應用于晶體管中,而主要的困難則是要提高性能,同時目前納米管晶體管尺寸在100納米左右,較硅晶體管要大。
【成果簡介】
IBM研究中心曹慶(通訊作者)等人研制出最小的P通道碳納米管晶體管,尺寸僅40 nm。基于一個半導體性的碳納米管,所占據的空間小于硅晶體管的一半,卻表現出相當高的歸一化電流密度,在低的供給電壓0.5 V,亞閾值擺幅85 mV/dec下,電流密度高于0.9 mA/μm。此外,在超負荷運算工作下,基于高密度納米管陣列線路制備的晶體管較最佳集成的硅電子設備能傳輸更高的電流。相關研究成果以題為“Carbon nanotube transistors scaled to a 40-nanometer footprint”在線發表于Science上,同期,Science期刊自由撰稿人Matthew Hutson為此項研究發表了題為“Scientists use carbon nanotubes to make the world's smallest transistors”(Science,2017,DOI: 10.1126/science.aan7042)的評述。
【圖文導讀】
圖一、單個s-CNT晶體管的原理圖以及顯微圖

圖二、線路尺寸減小至40 nm單個s-CNT晶體管的電學性質

圖三、基于s-CNT陣列的高性能晶體管的原理圖、顯微圖以及電學性質

文獻鏈接:Carbon nanotube transistors scaled to a 40-nanometer footprint(Science,2017,DOI:10.1126/science.aan2476)
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