【引言】
反鐵磁性,即材料內相鄰自旋指向相反方向的狀態,可以在層間異質結設計實現,并可對其性質進行調控。隨著探針和反鐵磁性磁性態研究的發展,利用其原子尺度的自旋極化電子隧穿和電流誘導的自旋傳輸矩特性,基于反鐵磁性的電子存儲設備的理念得到證實,并在磁性設備上得以廣泛應用。而要在氧化物異質結中實現反鐵磁性則十分困難,因為在納米厚度下部分磁性層的鐵磁性會顯著的衰減。
【成果簡介】
中國科學技術大學吳文彬教授(通訊作者),第一作者陳斌斌博士與團隊成員克服了氧化物反鐵磁性設計的難題,最新報道了將超薄但具鐵磁性的La2/3Ca1/3MnO3層與絕緣的CaRu1/2Ti1/2O3墊片結合實現反鐵磁性層間交換耦合(AF-IEC)。這種層狀磁開關結構導致階梯狀的磁滯回線,磁化平臺則取決于這種雙層結構的堆垛重復數。同時這種磁化結構能在好幾百個奧斯特的磁場下有效調制轉換。另外,用La2/3Sr1/3MnO3作為磁性層構成的AF-IEC具有近于室溫的居里溫度。該研究將為具有氧化物界面的電子設備增加研究基礎。該研究成果以“All-oxide–based synthetic antiferromagnets exhibiting layer-resolved magnetization reversal”為題刊登在2017年7月14日出版的Science上。
【圖文導讀】
圖一、AF-IEC的LCMO/CRTO多層結構

圖二、夾層交換耦合(IEC)隨層厚度的變化

圖三、在LCMO/CRTO SL中受溫度影響的磁性反轉

圖四、AF-IEC體系基于CRTO墊片的變化

文獻鏈接:All-oxide–based synthetic antiferromagnets exhibiting layer-resolved magnetization reversal(Science,2017,DOI: 10.1126/science.aak9717)
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